EMI那些事——開關(guān)電源的EMI整改方式
開關(guān)電源EMI整改中，關(guān)于不同頻段干擾原因及抑制辦法： 1MHZ以內(nèi)----以差模干擾為主 1.增大X電容量； 2.添加差模電感； 3.小功率電源可采用PI型濾波器處理（建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些）?！ ?MHZ---5MHZ---差模共模混合 采用輸入端并聯(lián)一系列X電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決， 1.對(duì)于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X電容量，添加差模電感器，調(diào)差?！?
【太完美了】很全的開關(guān)電源各個(gè)元器件--計(jì)算/選型
開關(guān)電源元器件選型—保險(xiǎn)絲第一個(gè)安規(guī)元件—保險(xiǎn)管1作用： 安全防護(hù)。在電源出現(xiàn)異常時(shí)，為了保護(hù)核心器件不受到損壞。2技術(shù)參數(shù)： 額定電壓V、額定電流I、熔斷時(shí)間I^2RT。3分類： 快斷、慢斷、常規(guī)1、0.6為不帶功率因數(shù)校正的功率因數(shù)估值2、Po輸出功率3、η 效率（設(shè)計(jì)的評(píng)估值）4、Vinmin 最小的輸入電壓5、2為經(jīng)驗(yàn)值，在實(shí)際應(yīng)用中，保險(xiǎn)管的取值范圍是理論值的1.5~3倍。6、0.……
開關(guān)電源六級(jí)能效怎么解？-供應(yīng)IC,二極管,三極管, 高低壓MOS
近一兩年內(nèi)，基本做電源產(chǎn)品都為了更新六級(jí)能效而忙碌，新規(guī)要求倒逼產(chǎn)品升級(jí)換代，是好事，也是挑戰(zhàn)。 關(guān)于六級(jí)能效，兩個(gè)要求：一，待機(jī)功耗二，平均效率 針對(duì)這兩點(diǎn)，除了擁有一顆新穎的IC，還有那些細(xì)工需要注意的，扒一扒。 首先，先了解下標(biāo)準(zhǔn)要求：美國能效要求一、待機(jī)功耗 以美國能效要求為例，要求49W以下空載功耗為0.1W，大于49W空載功耗為0.21W；歐盟49W以下為75mW，大于49W為……
深入理解MOSFET規(guī)格書/datasheet-供應(yīng)IC,二極管,三極管, 高低壓MOS
作為一個(gè)電源方面的工程師、技術(shù)人員，相信大家對(duì) MOSFET 都不會(huì)陌生。在電源論壇中，關(guān)于MOSFET 的帖子也應(yīng)有盡有：MOSFET 結(jié)構(gòu)特點(diǎn)/工作原理、MOSFET 驅(qū)動(dòng)技術(shù)、MOSFET 選型、MOSFET 損耗計(jì)算等，論壇高手、大俠們都發(fā)表過各種牛貼，我也不敢在這些方面再多說些什么了。工程師們要選用某個(gè)型號(hào)的 MOSFET，首先要看的就是規(guī)格書/datasheet，拿到 MOSFET 的……
不談?dòng)?jì)算，精細(xì)解析LLC的工作原理-供應(yīng)IC,二極管,三極管, 高低壓MOS
LLC技術(shù)已經(jīng)普及了，再不會(huì)就要落后啦！LLC半橋諧振電路中，根據(jù)這個(gè)諧振電容的不同聯(lián)結(jié)方式，典型LLC諧振電路有兩種連接方式，如下圖1所示。不同之處在于LLC諧振腔的連接，左圖采用單諧振電容（Cr），其輸入電流紋波和電流有效值較高，但布線簡單，成本相對(duì)較低；右圖采用分體諧振電容（C1, C2），其輸入電流紋波和電流有效值較低，C1和C2上分別只流過一半的有效值電流，且電容量僅為左圖單諧振電容的一……
伯仲之間-魅族UP0830辰陽版/德幫版對(duì)比拆解
魅族在PRO6手機(jī)的發(fā)布會(huì)上推出了最新一代的mCharge3.0快充技術(shù)，支持電量動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)，優(yōu)化了充電效率和發(fā)熱，而PRO6手機(jī)標(biāo)配的UP0830快充頭因其具備QC3.0和MTK PE+雙協(xié)議輸出的能力，受到了不少玩家和用戶的關(guān)注，我們充電頭網(wǎng)的評(píng)測在此：《再一次自我突破 魅族PRO6原裝充電器拆解》，不過UP0830充電器擁有賽爾康、辰陽、德幫、寶麗金等多個(gè)版本，很多小伙伴可能對(duì)它們之間有什么區(qū)……
