聯(lián)冀告訴你強茂二極管穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值
接下來深圳市聯(lián)冀電子有限公司小編來給你們詳細介紹一下... 1，將一電阻（待定）與穩(wěn)壓管串聯(lián)，接到直流電源（電壓待定）上，用電壓表測穩(wěn)壓管的兩端電壓，所測的值為穩(wěn)壓值。（穩(wěn)壓管陰極那端接電源正極） 2，推測穩(wěn)壓管的大概穩(wěn)壓值（從器件的拆卸源上可以推知），若穩(wěn)壓值在10V以下，則需要直流電源大于10V,可以取15V,串聯(lián)的電阻大小R=（15V - 推測穩(wěn)壓值）/(穩(wěn)壓管功率（一般為0.5W）/推測穩(wěn)……
強茂二極管穩(wěn)壓的注意點
強茂二極管穩(wěn)壓的注意點：1、要注意一般二極管與穩(wěn)壓二極管的區(qū)別方法。不少的一般二極管，特別是玻璃封裝的管，外形顏色等與穩(wěn)壓二極管較相似，如不細心區(qū)別，就會使用錯誤。區(qū)別方法是：看外形，不少穩(wěn)壓二極管為園柱形，較短粗，而一般二極管若為園柱形的則較細長；看標志，穩(wěn) 壓二極管的外表面上都標有穩(wěn)壓值，如5V6，表示穩(wěn)壓值為5.6V；用萬用表進行測量，根據(jù)單向導電性，用X1K擋先把被測二極管的正負極性判斷出……
NCE低壓MOS管的電流控制
NCE低壓MOS管即可用于放大電流，又可以作為可變電阻，還能用作電子開關，現(xiàn)已廣泛應用于電子設備中。而在使用過程中，MOS管是通過加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。今天飛虹MOS管廠家要分享的是NCE低壓MOS管該如何精準控制電流。NCE低壓MOS管是電壓控制器件，也就是需要使用電壓控制G腳來實現(xiàn)對管子電流的控制。市面上最常見的是增強型N溝通MOS管，廠家可以用一個電壓來控制G的電壓，N……
低壓MOS管的特性及應用領域
低壓MOS管是電場效應控制電流大小的單及型半導體器件。在其輸入端基本不取電流或電流及小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡單等特點，在大規(guī)模和潮大規(guī)模集成電路中被應用。場效應器件憑借其低功耗、性能穩(wěn)定、康副射能力強等有勢，在集成電路中已經(jīng)有逐漸取代三及管的趨勢。但它還是fei常嬌貴的，雖然多數(shù)已經(jīng)內置了保護二及管，但稍不注意，也會損壞。所以在應用中還是小心為妙。低壓MOS管與三及管的各……
紫光微MOS管的選型原則
了解了紫光微MOS管的參數(shù)意義，如何根據(jù)廠商的產品手冊表選擇滿足自己需要的產品呢？可以通過以下四步來選擇正確的紫光微MOS管。1） 溝道的選擇 為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道 紫光微MOS管.在典型的功率應用中，當一個紫光微MOS管接地，而負載連接到干線電壓上時，該紫光微MOS管就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應采用N溝 道MOSFET,這是出于對關閉或導通器件所需電壓……
新潔能MOS管的工作原理及優(yōu)勢
新潔能MOS管的工作原理，控制柵極電上壓VGS的大小改變了電場的強弱，就可以達到控制漏極電流ID的大小的目的，這也是MOS管用電場來控制電流的一個重要特點，所以也稱之為場效應管。MOS的優(yōu)勢:場效應管的源極S、柵極G、漏極D分別對應于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極C，它們的作用相似。MOS的優(yōu)勢:場效應管是電壓控制電流器件。由VGS控制ID，普通的晶體三極管是電流控制電流器件，由IB控制IC。M……
紫光微MOS管的封裝種類各有不同
紫光微MOS管的封裝種類各有不同隨著科學技術不斷進步，電子產品的設計工程師必須不斷跟隨科技發(fā)展的步伐，為產品挑選更適合的電子器件，才能使產品更符合時代需求。其中mos管是電子制造的基本元件，因此挑選mos管更需要了解它的特性和各種指標。 在mos管的選型技巧中，從結構形式（N型還是P型）、電壓、電流到熱要求、開關性能、封裝因素以及品牌，面對不同的應用，需求也千變萬化，本文會具體講講mos……
紫光微MOS管功率的基本特性
靜態(tài)特性：其轉移特性和輸出特性。漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關系稱為紫光微MOS管的轉移特性，ID較大時，ID與UGS的關系近似線性，曲線的斜率定義為跨導Gfs。紫光微MOS管的漏極伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對應于GTR的截止區(qū)）；飽和區(qū)（對應于GTR的放大區(qū)）；非飽和區(qū)（對應于GTR的飽和區(qū)）。電力 紫光微MOS管工作在開關狀態(tài)，即在截止區(qū)和非飽和區(qū)之間來回轉換。電力紫光微MOS管漏源極……
紫光微MOS管的常用參數(shù)
紫光微MOS管的常用參數(shù):VDS，即漏源電壓，這是紫光微MOS管的一個極限參數(shù)，表示紫光微MOS管漏極與源極之間能夠承受的最大電壓值。需要注意的是，這個參數(shù)是跟結溫相關的，通常結溫越高，該值最大。 RDS(on)，漏源導通電阻，它表示MOSFET在某一條件下導通時，漏源極之間的導通電阻。這個參數(shù)與紫光微MOS管結溫，驅動電壓Vgs相關。在一定范圍內，結溫越高，Rds越大;驅動電壓越高，Rds越小?！?
7n65MOS管的產品特點及參數(shù)
MOS管7n65產品特征-KIA7N65H:1、RDS(on)=1.2?@VGS=10V2、低柵電荷（典型的29nC）3、高強度4、快速切換5、100%雪崩試驗6、增強的dv/dt能力MOS管7n65產品主要參數(shù)-KIA7N65H:產品型號：KIA7N65H工作方式：7A/650V漏至源電壓：650V門到源電壓：±30V雪崩能源：14.7/230MJ操作和儲存溫度范圍:-55至150℃ 深圳市……
強茂二極管的恢復時間
強茂二極管分為：肖特基二極管,碳化硅肖特基二極管,二極管整流器,保護組件,雙極晶體管,橋式整流管,下面主要講一下肖特基二極管的恢復時間。肖特基二極管和快恢復二極管區(qū)別前者的恢復時間比后者小一百倍左右，前者的反向恢復時間大約為幾納秒~！前者的優(yōu)點還有低功耗，大電流，超高速~！電氣特性當然都是二極管阿~！ 快恢復二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到……
紫光微MOS管的應用領域
紫光微MOS管是電場效應控制電流大小的單極型半導體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡單等特點，在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中被應用。 場效應器件憑借其低功耗、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強等優(yōu)勢，在集成電路中已經(jīng)有逐漸取代三極管的趨勢。但它還是非常嬌貴的，雖然多數(shù)已經(jīng)內置了保護二極管，但稍不注意，也會損壞。所以在應用中還是小心為妙。 紫光微MO……
