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電子、電器、家電產(chǎn)品消費(fèi)制造時(shí)，需求用到很多不同類型的電子元件，如新潔能MOS管、電阻、DC-DC電源芯片等，每種電子元件都有它不同的功用作用，當(dāng)然，這些電子元件用久了，也防止不了會(huì)有一些問題，今天來聊聊其中一種電子元件，接下來看看新潔能MOS管為什么會(huì)發(fā)熱，有哪些什么緣由。
1、減少運(yùn)用頻率
這也是用戶在調(diào)試過程中常見的現(xiàn)象。頻率降落主要是由兩個(gè)方面形成的。輸入電壓與負(fù)載電壓之比小，系統(tǒng)干擾大。關(guān)于前一種狀況，負(fù)載電壓越高，效率越高，但要留意負(fù)載電壓不要設(shè)置得太高。假如是后者，您能夠嘗試以下辦法：a、將小電流設(shè)置得較小。b、更明晰地布置關(guān)鍵途徑，特別是關(guān)于意義而言。c、選擇較小的電感器或運(yùn)用具有閉合磁路的電感器。d、添加 RC 低通濾波器，這個(gè)效果有點(diǎn)不好，C、的分歧性不好，偏向有點(diǎn)大，但是關(guān)于打光來說曾經(jīng)足夠好了。無論如何，降低頻率沒有益處，只要害處，所以這個(gè)問題需求處理。
2、芯片發(fā)熱
內(nèi)置功率調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片，假如芯片耗費(fèi)的電流為2mA，給芯片施加300V的電壓，則芯片的功耗為0.6W，芯片自然會(huì)發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的大電流由驅(qū)動(dòng)功率MOS管的功耗決議。簡(jiǎn)單的計(jì)算公式是I=cvf。思索到充電帶來的電阻的益處，實(shí)踐I=2cvf。其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管的電導(dǎo)率。由于柵極電壓開啟，我們需求想方法降低c、v、f來降低芯片的功耗。假如c、v、f無法改動(dòng)，就想方法將芯片的功耗分配給片外設(shè)備，留意不要產(chǎn)生額外的功耗。簡(jiǎn)單來說，就是思索改善散熱。
3、電感或變壓器的選擇
同樣的驅(qū)動(dòng)電路，用A制造的電感還好，但用B制造的電感電流較小。在這種狀況下，請(qǐng)查看電感電流波形。有些工程師沒有認(rèn)識(shí)到這種現(xiàn)象，直接調(diào)整檢測(cè)電阻或工作頻率來到達(dá)所需的電流，這會(huì)嚴(yán)重影響 LED 的運(yùn)用壽命。因而，設(shè)計(jì)前需求停止合理的計(jì)算。假如理論計(jì)算參數(shù)與調(diào)試參數(shù)相差較大，應(yīng)思索能否降低頻率以及變壓器能否飽和。當(dāng)變壓器飽和時(shí)，L變小，由于傳輸延遲招致的峰值電流增加疾速增加，LED峰值電流相應(yīng)增加。假定均勻電流堅(jiān)持不變，能夠簡(jiǎn)單地察看光衰。
4、功率管發(fā)熱
功率管的功耗可分為兩局部：開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。請(qǐng)留意，在大多數(shù)狀況下，特別是在 LED 電源供電應(yīng)用中，開關(guān)損壞遠(yuǎn)大于傳導(dǎo)損耗。開關(guān)損耗不只與芯片的驅(qū)動(dòng)才能和工作頻率有關(guān)，還與功率管的CGD和CGS有關(guān)。因而，功率管發(fā)熱能夠從以下幾個(gè)角度來處理。A、MOS功率管內(nèi)阻越小，CGS和CGD電容越大，因而不能僅依據(jù)單側(cè)導(dǎo)通電阻來選擇MOS功率管，這就是您選擇功率管時(shí)所需求的。B.剩下的是頻率和芯片驅(qū)動(dòng)才能。我們?cè)谶@里只討論頻率效應(yīng)。頻率也與傳導(dǎo)損耗成正比，所以假如你的功率管發(fā)熱，你首先應(yīng)該思索你的頻率選擇能否太高。想方法降低頻率！ 但是，隨著頻率的降低，峰值電流會(huì)增加，或者為了取得相同的負(fù)載才能而需求加大電感器，因而需求留意電感器可能會(huì)進(jìn)入飽和區(qū)。假如電感的飽和電流足夠高，能夠思索從CCM（連續(xù)電流形式）改為DCM（斷續(xù)電流形式），這需求增加負(fù)載電容。
綜上所述，能夠理解到新潔能MOS管發(fā)熱的緣由有4個(gè)，有芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、減少運(yùn)用頻率、電感方面的緣由 。
